收藏本站
Si5482DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
35
30
32
25
24
20
15
16
8
Package Limited
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperature (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 73594
S-81448-Rev. B, 23-Jun-08
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5484DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5485DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
SI5853CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5484DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5484DU-RC 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI5484DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5484DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 16mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5485DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5485DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5485DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5486DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET